Линия проявления фоторезиста ЛМ4

Линия проявления фоторезиста ЛМ4

✅ В хорошем состоянии
✅ Год выпуска: 2006

Технические характеристики:

✔ Производительность: до 100 пластин в час
✔ Рабочая температура: 20–25°C
✔ Габариты: 2000 × 1500 × 1800 мм
✔ Напряжение питания: 380 В
✔ Мощность: 5 кВт
✔ Тип обработки: проявление, промывка, сушка

Описание:
Линия проявления фоторезиста ЛМ4 предназначена для обработки фотошаблонов и полупроводниковых пластин. Обеспечивает равномерное нанесение и удаление фоторезиста, а также качественную промывку и сушку. Подходит для использования в микроэлектронике и производстве печатных плат. Оборудование находится в рабочем состоянии, готово к эксплуатации.